సిమెంట్ రకం రెసిస్టర్లు (SQHG) లక్షణాలు: 1. చిన్న పరిమాణం, అద్భుతమైన స్థిరత్వం లో అధిక ఉష్ణోగ్రత, నిరోధక కు ఆర్ద్రత మరియు షాక్. 2. పూర్తిగా లోsulated పాత్ర అనుకూలంగా కోసం prలోted సర్క్యూట్ బోర్డు. 3. సూపర్ వేడి దుర్నీతి చిన్న lలోear ఉష్ణోగ్రత గుణకం. 4. తక్షణ ఓవర్లోడ్ సామర్ధ్యం తక్కువ శబ్దం గణాంకాలు మరియు తక్కువ వార్షిక మార్పు పై ప్రతిఘటన విలువలు. 5.Operatలోg పరిసర ఉష్ణోగ్రత:-55℃~+275℃ 6.Resistance కుlerance: Â ± 1%, Â ± 2%, Â ± 5%, Â ± 10%.
సిమెంట్ రకం రెసిస్టర్లు (SQHG)
|
ఉత్పత్తులు |
సిమెంట్ రకం రెసిస్టర్లు (SQHG) |
|
లక్షణాలు |
1. చిన్న పరిమాణం, అధిక ఉష్ణోగ్రతలో అద్భుతమైన స్థిరత్వం,తేమ మరియు షాక్‌కు నిరోధకత. 2. ప్రింటెడ్ సర్క్యూట్‌కు అనువైన ఇన్సులేట్ అక్షరం బోర్డు. 3. సూపర్ హీట్ వెదజల్లడం చిన్న సరళ ఉష్ణోగ్రత గుణకం. 4. తక్షణ ఓవర్లోడ్ సామర్ధ్యం తక్కువ శబ్దం గణాంకాలు మరియు తక్కువ నిరోధక విలువలపై వార్షిక మార్పు.
5. పరిసర ఉష్ణోగ్రత ఆపరేటింగ్: -55â „~ + 275â„ |
లక్షణాలు:
|
భాగం లేదు |
(MM) DIMENSIONS (MM) |
రెసిస్టెన్స్ రేంజ్ (Î ©) |
||||||||
|
EA ± 1 |
WA ± 1 |
FA ± 1 |
LA ± 2 |
డా ± 1 |
సి |
హా ± 1 |
GA ± 1 |
కెఎన్ |
MO |
|
|
10W |
5 |
10 |
5 |
48 |
5 |
|
10 |
12 |
0.5-600 |
601-50k |
|
15W |
7 |
12.5 |
7 |
48 |
6 |
|
12 |
12 |
1-600 |
601-150k |
|
20W |
7 |
12.5 |
7 |
63 |
6 |
3 |
14 |
12 |
1-1k |
1k1-150k |
|
30W |
9 |
19 |
9 |
75 |
7.5 |
|
19 |
18 |
1-2k |
|
|
40W |
9 |
19 |
9 |
90 |
7.5 |
|
19 |
18 |
1-2k |
|
|
శక్తి రేట్ చేయబడింది
అంశం |
10W |
15W |
20W |
30W |
40W |
|
గరిష్టంగా పనిచేసే వోల్టేజ్ |
750V |
1000V |
1000V |
1000V |
1000V |
|
విద్యుద్వాహక తట్టుకునే వోల్టేజ్ |
1000V |
1000V |
1000V |
1000V |
1000V |
|
ప్రతిఘటన సహనం |
JA ± 5% |
JA ± 5% |
JA ± 5% |
JA ± 5% |
JA ± 5% |
|
సిement Type Resistor (wire wound) |
||||||||
|
సిharacteristics |
లక్షణాలు |
పరీక్షా విధానం |
||||||
|
Dసి ResistanceJIS-సి-5202 5.1 |
J ± ± 5% |
AT 25â „ |
||||||
|
విద్యుద్వాహక తట్టుకునే వోల్టేజ్ |
ఫ్లాష్‌ఓవర్ మెకానికల్ అమేజ్, ఆర్సింగ్ లేదా ఇన్సులేషన్ బ్రేక్‌డౌన్ యొక్క ఆధారాలు లేవు. |
Resistance shall be clamped with a conductive material which conforms to resistors surface so that 90o of the outer periphery is contacted a potential of 1000V Aసి shall be applied for 60 seconds. |
||||||
|
ఇన్సులేషన్ నిరోధకత |
1000MÎ © MIN |
Withstanding test and shall be measured at Dసి 500V. Resistor shall be prepared Aసి same method of dielectric. |
||||||
|
థర్మల్ షాక్ |
నేను RA ¤Â ± (2% R0 + 0.1Î ©) |
30 నిమిషాలు రేట్ చేయబడిన శక్తిని వర్తింపజేసిన తరువాత, -30Â ± 5â „పరిసర ఉష్ణోగ్రతకు 30 నిమిషాలు బహిర్గతం. |
||||||
|
తేమ |
నేను RA ¤Â ± (2% R0 + 0.1Î ©) |
40Â ± 2â „controlled మరియు 90 ~ 95% సాపేక్ష ఆర్ద్రత వద్ద నియంత్రించబడే తేమ పరీక్ష గదిలో 1000 గంటల బహిర్గతం తర్వాత ఉష్ణోగ్రత నిరోధకత మారుతుంది. |
||||||
|
సిement Type Resistor (metal oxide film) |
||||||||
|
తక్కువ సమయం ఓవర్లోడ్ |
నేను RA ¤Â ± (2% R0 + 0.05Î ©) |
Temperature resistance change after the application of a potential of 2.5 times RసిVW for 5 seconds. |
||||||
|
జీవితాన్ని లోడ్ చేయండి |
నేను RA ¤Â ± (5% R0 + 0.1Î ©) |
Permanent resistance change after 1000 hours operating at RసిWV, with duty cycle of 1.5 hours on and 0.5 hours off at 25℃±2℃. |
||||||
|
Load Life in తేమ |
నేను RA ¤Â ± (5% R0 + 0.1Î ©) |
Temperature resistance change after 1000 hours(1.5hours on and 0.5 hours off) at RసిVW in a humidity chamber controlled at 40±2℃ and 90~95% relative humidity. |
||||||
|
solderability |
95% కవరేజ్ MIN |
టంకము యొక్క పరీక్ష ఉష్ణోగ్రత: 230Â ± 5â „ |
||||||
|
తేమ |
నేను RA ¤Â ± (5% R0 + 0.1Î ©) |
40Â ± 2â „controlled మరియు 90 ~ 95% సాపేక్ష ఆర్ద్రత వద్ద నియంత్రించబడే తేమ పరీక్ష గదిలో 1000 గంటల బహిర్గతం తర్వాత ఉష్ణోగ్రత నిరోధకత మారుతుంది. |
||||||
|
టంకం వేడికి నిరోధకత |
నేను RA ¤Â ± (1% R0 + 0.05Î ©) |
Immerge into the 350±10°సి tin stove by3.2~4.8
|
||||||
|
Nonflammability |
ఆగ్ని వ్యాప్తి చేయని |
Load 5 min according to 5times, 10 times, 16 times rated power and A.సి. respectively. |
||||||
|
గమనికలు |
మరిన్ని వివరాలు, దయచేసి మమ్మల్ని సంప్రదించడానికి సంకోచించకండి. |
|||||||
Derating సిurve:
70 above above above కంటే ఎక్కువ పరిసర ఉష్ణోగ్రతలలో పనిచేసే రెసిస్టర్‌ల కోసం, శక్తి రేటింగ్ దిగువ వక్రతకు అనుగుణంగా ఉండాలి.
Surfaceఉష్ణోగ్రత Rise:
